삼성電, 기술인재 전면 배치…반도체, 업계 1위 공고화

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[스페셜경제=강민철 기자] 삼성전자 반도체와 가전 등 업계 1위를 확고히 하기 이해 인재를 앞세운다. 최근 정기 임원 인사에서는 미래 성장을 이끌 기술 인재를 대거 발탁한 것이다.

삼성전자가 이를 통해 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 반도체 주도권 확보를 통해 세계 1위 반도체 기업의 위상을 되찾는다고 9일 밝혔다.

이를 위해 삼성전자가 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master) 등에 정기 임원 인사를 단행했다.

올해 승진자는 137명으로, 전년(143명)보다 줄었으며, 이는 최근 7년래 최저다.

다만, 삼성전자가 성과주의 원칙에 따라 세대교체를 빨리하고 있다는 게 업계 설명이다.

실제 이번 인사에서 상무급 승진자는 92명으로, 전년보다 15명이 늘었다. 경영 불확실성이 심각한 상황에서 차별화한 제품과 기술 경쟁력 확보를 위해서인데, 이중 신기술 인재가 많다.

우선 반도체 사업인 DS부문에서 차세대 반도체 물질·공정 전문가인 김용성 SAIT Device Research Center장이 부사장으로 승진했다. 세계 최고용량 10나노 5세대급 D램(D1b 32Gb DDR5) 제품 개발을 이끈 채교석 DS부문 메모리사업부 DRAM PA3그룹도 상무로 승진했다.

3차원 구조 제품 경쟁력을 확보하기 위해 문광진 최고기술관리자(CTO) 반도체연구소 차세대공정개발3팀장을 상무로 선임했다. 

이외에도 채교석 메모리사업부 DRAM PA3그룹, 박일한 메모리사업부 플래시설계1그룹, 김우일 S.LSI사업부 AI SOC-P/J 등 인재가 대거 임원이 됐다.

인공지능(AI), 차세대 통신 등에서도 승진자가 다수다.

올해 승진 인사 가운데 30대 젊은 임원도 있다. 최연소 승진자 하지훈 DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 상무는 올해 39세다. 그가 소프트웨어(SW) 핵심기술 개발과 상용화를 주도한 차세대 통신 SW 플랫폼 설계분야 전문가로, vRAN(가상 무선 액세스 네트워크) 차별화 기술을 선도하며 통신 사업 경쟁력을 강화했다는 게 업계 평가다.

삼성전자는 조직개편을 통해 기존 DS부문의 제조, 기술담당 조직을 메모리사업부와 파운드리사업부 전담 조직으로 나누고 각각 메모리제조센터기술장을 맡았던 신경섭 부사장, 파운드리제조기술센터장을 역임한 홍영기 부사장을 각각 내정했다.

업계 관계자가 "메모리와 파운드리의 공정 성격이 다른 만큼, 각 사업부에 맞는 기술 인재들로 진용을 재편하려는 전략"이라고 말했다.

 

 

 

 

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