삼성 電, SK, 마이크론, HBM서 경쟁 후끈…내년 세계 생산능력 내년 2배 급증

삼성전자 기흥반도체 공장. [사진=스페셜 경제]

 

[스페셜경제=강민철 기자] 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 치열하게 경쟁한다. 이로 인해 내년 이들 메모리 기업의 HBM 생산능력이 올해보다 200% 이상 급증할 전망이다.

12일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 내년 공정에 투입할 웨이퍼가 모두 54만장이다.

이는 올해(26만4000장)보다 두 배 이상 급증한 수준이다.

관련 기업이 앞다퉈 첨단 반도체 공장을 증설하면서 HBM 생산 경쟁이 치열하다 는게 업계 분석이다.

실제 HBM 1위인 SK하이닉스가 4월 충북 청주의 신규 공장인 M15X를 HBM 등 차세대 D램 생산기지로 결정하고, 공사를 시작했다. 

삼성전자 역시 올해 HBM 생산능력을 전년보다 2.9배까지 확대할 계획이라고 발표했다. 마이크론도 일본 정부와 협력해 히로시마에 HBM 공장을 건설한다. 말레이시아에도 현지 HBM 생산 공장 구축을 추진하고 있다.

SK하이닉스 경기 이천 공장. [사진=스페셜경제]

 

내년 HBM 생산능력이 확대하면 매분기 실적이 개선할 것이라는 게 증권가 분석이다. 올해 HBM 시장 규모가 전년(6조원)보다 급증한 24조원이다.

채민숙 한국투자증권 연구원이 “HBM 공급 부족이 지속할 것이다. 인공지능(AI) 칩 시장 성장이 성장세라, HBM 수요 역시 지속해 증가할 것이다. 이들 메모리 3사의 생산 경쟁은 치열해질 수 밖에 없다”고 말했다.

한편, 현재 세계 HBM 시장 점유율이 SK하이닉스 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9% 순이다.

 

 

 

 

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