삼성전자, HBM4E 최초 공개…엔비디아 AI 협력 강화

GTC 2026서 차세대 메모리 공개...AI 인프라 동맹 확대

 

삼성전자는 지난 2월 12일 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. [사진=삼성전자]

스페셜경제=강민철 기자 | 삼성전자가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 7세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E’를 처음 공개하며 인공지능(AI) 인프라 협력을 강화한다.

차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’을 지원하는 메모리·스토리지 솔루션을 함께 선보이며 엔비디아와의 전략적 협력 확대에 나선 모습이다.

삼성전자는 17일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 ‘GTC 2026’에 참가해 차세대 AI 메모리 기술과 반도체 역량을 공개한다고 밝혔다.

전시 공간에는 ‘HBM4 히어로 월’을 마련해 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체(IDM) 경쟁력을 강조했다.

행사 부스에는 ‘엔비디아 갤러리’를 별도로 구성해 양사의 AI 인프라 협력 관계도 부각했다.

전시는 AI 데이터센터를 의미하는 ‘AI 팩토리즈’, 온디바이스 기술을 보여주는 ‘로컬 AI’, 로봇과 자동화 등을 포함한 ‘피지컬 AI’ 등 세 영역으로 나눠 진행된다.

삼성전자는 지난 2월 12일 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하했다고 밝혔다. 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. [사진=삼성전자]

삼성전자는 GDDR7 그래픽 메모리, LPDDR6 저전력 메모리, SSD PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개하며 AI 시대 핵심 인프라 기술을 선보였다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청 연사로 나서 차세대 AI 시스템과 이를 지원하는 삼성의 메모리 전략을 발표할 예정이다.

이번 전시에서는 차세대 HBM 기술도 처음 공개됐다. 삼성전자는 10나노급 6세대 공정인 ‘1c D램’을 적용하고 4나노미터 파운드리 공정을 베이스 다이에 활용한 HBM4E 개발 현황을 공개하며 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 선보였다.

또 열압착 본딩(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 낮춘 ‘하이브리드 구리 본딩(HCB)’ 기술을 공개하며 16단 이상 고적층 HBM 구현을 위한 패키징 기술 경쟁력도 강조했다. 삼성전자는 메모리뿐 아니라 스토리지까지 포함한 ‘메모리 토털 솔루션’ 전략도 강조했다.

엔비디아 차세대 플랫폼 베라 루빈에 필요한 HBM4, 서버용 메모리 모듈SOCAMM2, SSD PM1763 등을 함께 전시해 AI 데이터센터 인프라 전반을 지원할 수 있다는 점을 부각했다. SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 업계 최초로 양산 출하가 시작된 제품이다.

PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 주요 스토리지로 활용되며 부스에서는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드 시연도 진행된다.

삼성전자는 차세대 AI 데이터센터 구축 과정에서 메모리와 스토리지를 동시에 공급할 수 있는 통합 솔루션 경쟁력을 바탕으로 엔비디아와의 협력을 확대한다는 계획이다.

 

 

 

 

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